首页

女主天地美脚美脚专区

时间:2025-05-29 06:53:18 作者:海南省台湾青年创新创业服务中心揭牌 浏览量:48073

  新华社武汉9月18日电(记者 侯文坤)记者18日从华中科技大学了解到,该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展,研制了一种具有边缘接触特征的新型二维浮栅晶体管器件,与现有商业闪存器件性能对比,其擦写速度、循环寿命等关键性能均有提升,为发展高性能、高密度大容量存储器件提供了新的思路。

  浮栅晶体管作为一种电荷存储器,是构成当前大容量固态存储器发展的核心元器件。然而,当前商业闪存内硅基浮栅存储器件所需的擦写时间约在10微秒至1毫秒范围内,远低于计算单元CPU纳秒级的数据处理速度,且其循环耐久性约为10万次,也难以满足频繁的数据交互。随着计算机数据吞吐量的爆发式增长,发展一种可兼顾高速、高循环耐久性的存储技术势在必行。

  二维材料具有原子级厚度和无悬挂键表面,在器件集成时可有效避免窄沟道效应和界面态钉扎等问题,是实现高密度集成、高性能闪存器件的理想材料。然而,在此前的研究中,其数据擦写速度多异常缓慢,鲜有器件可同时实现高速和高循环耐久性。面对这一挑战,翟天佑团队研制了一种具有边缘接触特征的新型二维浮栅晶体管器件,通过对传统金属-半导体接触区域内二硫化钼进行相转变,使其由半导体相(2H)向金属相(1T)转变,使器件内金属-半导体接触类型由传统的3D/2D面接触过渡为具有原子级锐利界面的2D/2D型边缘接触,实现了擦写速度在10纳秒至100纳秒、循环耐久性超过300万次的高性能存储器件。

  “通过对比传统面接触电极与新型边缘接触,该研究说明了优化制备二维浮栅存储器件内金属-半导体接触界面对改善其擦写速度、循环寿命等关键性能有重要作用。”翟天佑说。

图为边缘接触式二维浮栅存储器的表征及其操作性能。(受访单位供图)

  这一成果以《基于相变边缘接触的高速、耐久二维浮栅存储器》为题,于近日在线发表在国际学术期刊《自然·通讯》上。

  (本文来自于新华网)

展开全文
相关文章
2024中日青少年书法交流展在东京开幕

佛山再推九项新政促进楼市平稳发展

白智立认为,随着改革开放、国门打开,“70后”官员群体走出国门的机会更多,可以客观理性地看待中国与世界的关系。《中国新闻周刊》注意到,60多位“70后”省委常委,在担任党政干部期间,至少十余位曾赴欧美等国求学或培训。

中国或支持特斯拉测试“无人驾驶出租”

三是这些高铁平行线路上均有普速旅客列车运行,实行灵活折扣、有升有降的市场化票价机制,将进一步丰富高铁、普铁客运产品体系,为旅客出行提供更多选择。

两位美国科学家分享2024年诺贝尔生理学或医学奖

“‘珐华贴金镂空孔雀牡丹纹大罐’独此一件,体形硕大、装饰精美且工艺独特,尤其是其镂空和贴金工艺令人惊叹,为国内首次发现。”辛礼学说。

新疆迎来今年首个持口岸团体旅游签证的外国旅游团

同样值得赞许的是,不断追求卓越、永不放弃的体育精神,激励运动员不断刷新世界纪录,向着更快、更高、更强的目标不断迈进,同时极大地推进全民体育的普及,并鼓舞了一代又一代年轻人在人生道路拼搏。

相关资讯
热门资讯
女王论坛